Trois chercheurs américains ont été désignés mercredi lauréats du Japan Prize par la communauté scientifique japonaise pour leurs travaux sur la conception de matériaux pour les semi-conducteurs d’une part, et pour la recherche sur la biodiversité marine d’autre part.

 

La récompense a tout d’abord été attribuée à C. Grant Willson et Jean M.J. Fréchet « pour leur contribution exceptionnelle dans l’amplification chimique des matériaux polymères appliquée à la fabrication de semi-conducteurs ».

Leur invention est utilisée pour presque tous les microprocesseurs et puces à mémoire électronique intégrés dans les ordinateurs personnels, les téléphones mobiles ou les voitures, « ce qui en fait un apport essentiel au développement de notre société moderne de l’information », a justifié le jury.

« En repoussant la limite de finesse de gravure des semiconducteurs, leurs travaux ont permis aux semi-conducteurs de suivre la loi dite de Moore qui stipule que la densité des transistors sur les circuits intégrés double environ tous les deux ans », précise encore la Fondation Japan Prize dans son argumentaire.

A également été honoré le professeur John Frederick Grassle, également originaire des États-Unis, pour sa contribution à « la préservation de l’environnement marin grâce à la recherche sur l’écologie et la biodiversité des organismes en eaux profondes ».

Le Japan Prize, qui fête cette année ses 29 ans, est décerné annuellement dans deux catégories à des chercheurs et inventeurs qui, indépendamment de leur nationalité, ont apporté des contributions substantielles à leur domaine ainsi qu’à la paix et à la prospérité de l’humanité, selon la Fondation chargée de cette plus prestigieuse récompense scientifique nippone.

Les lauréats sont gratifiés d’une somme de 50 millions de yens (420.000 euros au cours actuel) par catégorie récompensée. Désignés chaque année en janvier, ils reçoivent leur prix à Tokyo en avril lors d’une grandiose cérémonie qui se déroule généralement en présence de l’Empereur et de l’Impératrice du Japon.

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